SIHD6N62ET1-GE3
僅供參考
型號 | SIHD6N62ET1-GE3 |
PNEDA編號 | SIHD6N62ET1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 23,352 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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SIHD6N62ET1-GE3資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | SIHD6N62ET1-GE3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
數據表 |
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SIHD6N62ET1-GE3規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | E |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 620V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 6A (Tc) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 4V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±30V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 578pF @ 100V |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 78W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包裝 | TO-252AA |
包裝/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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