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SIHL630STRL-GE3

SIHL630STRL-GE3

僅供參考

型號 SIHL630STRL-GE3
PNEDA編號 SIHL630STRL-GE3
描述 MOSFET N-CH 200V D2PAK TO-263
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIHL630STRL-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIHL630STRL-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIHL630STRL-GE3, SIHL630STRL-GE3數據表 (總頁數: 10, 大小: 243.5 KB)
PDFSIHL630STRL-GE3數據表 封面
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SIHL630STRL-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

666pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

614pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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27A (Ta), 110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 20V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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