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SIR164ADP-T1-GE3

SIR164ADP-T1-GE3

僅供參考

型號 SIR164ADP-T1-GE3
PNEDA編號 SIR164ADP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIR164ADP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIR164ADP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIR164ADP-T1-GE3, SIR164ADP-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 207.94 KB)
PDFSIR164ADP-T1-GE3數據表 封面
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SIR164ADP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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Vishay Siliconix

系列

-

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

85V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 39µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2070pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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STMicroelectronics

系列

SuperMESH™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

12V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 8A, 12V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 12V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

554pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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