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SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SIS902DN-T1-GE3
PNEDA編號 SIS902DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIS902DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIS902DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIS902DN-T1-GE3, SIS902DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 8, 大小: 93.43 KB)
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SIS902DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs186mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds175pF @ 38V
功率-最大15.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.01mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3340pF @ 13V

功率-最大

26W

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7220pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

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