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SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SISA34DN-T1-GE3
PNEDA編號 SISA34DN-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SISA34DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SISA34DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SISA34DN-T1-GE3, SISA34DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 616.78 KB)
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SISA34DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 4.5V
Vgs(最大)+20V, -16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)20.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8
包裝/箱PowerPAK® 1212-8

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1597pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Ta), 114A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 370A

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6460pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 106W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

Vgs(最大)

±20V

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-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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