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SISH472DN-T1-GE3

SISH472DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SISH472DN-T1-GE3
PNEDA編號 SISH472DN-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V POWERPAK 1212
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 25,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SISH472DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SISH472DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SISH472DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta), 20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds997pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8SH
包裝/箱PowerPAK® 1212-8SH

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17.1A (Ta), 147A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 4.5V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9821pF @ 15V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.6nC @ 5V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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