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SIZ320DT-T1-GE3

SIZ320DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ320DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ320DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 28,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ320DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ320DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ320DT-T1-GE3, SIZ320DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 362.6 KB)
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SIZ320DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列PowerPAIR®, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
功率-最大16.7W, 31W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-Power33 (3x3)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 15V

功率-最大

27W, 30W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V

功率-最大

1.9W, 2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.5µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 15V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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