SIZ904DT-T1-GE3
僅供參考
| 型號 | SIZ904DT-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | SIZ904DT-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| 單價 |
|
||||||||||||||||||
| 庫存 | 258 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||
SIZ904DT-T1-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | SIZ904DT-T1-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- SIZ904DT-T1-GE3 Datasheet
- where to find SIZ904DT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SIZ904DT-T1-GE3
- SIZ904DT-T1-GE3 PDF Datasheet
- SIZ904DT-T1-GE3 Stock
- SIZ904DT-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SIZ904DT-T1-GE3
- SIZ904DT-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SIZ904DT-T1-GE3 Price
- SIZ904DT-T1-GE3 Distributor
SIZ904DT-T1-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 12A, 16A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 24mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 12nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 435pF @ 15V |
| 功率-最大 | 20W, 33W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 6-PowerPair™ |
| 供應商設備包裝 | 6-PowerPair™ |
您可能感興趣的產品
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs 150mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 Dual |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.9V @ 2.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 259nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7000pF @ 25V 功率-最大 250W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP3 供應商設備包裝 SP3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 39nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1700pF @ 15V 功率-最大 1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-TSSOP |
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 10.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.3W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 4-UFBGA, WLCSP 供應商設備包裝 4-WLCSP (1.57x1.57) |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 150A Rds On（Max）@ Id，Vgs 28mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 434nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 19600pF @ 25V 功率-最大 1250W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP6 供應商設備包裝 SP6 |
