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SJD32CT4G

SJD32CT4G

僅供參考

型號 SJD32CT4G
PNEDA編號 SJD32CT4G
描述 TRANS PNP 100V 3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SJD32CT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SJD32CT4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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SJD32CT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500µA, 5V

功率-最大

100W

頻率-過渡

12MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

375V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 62.5mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 300mA, 5V

功率-最大

1.1W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

430mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

360MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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