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SL13HE3/5AT

SL13HE3/5AT

僅供參考

型號 SL13HE3/5AT
PNEDA編號 SL13HE3-5AT
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SL13HE3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SL13HE3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SL13HE3/5AT, SL13HE3/5AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 77.17 KB)
PDFSL13HE3_A/I數據表 封面
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SL13HE3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果445mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 8V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

460mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 30V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

800pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

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