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SL43HE3_B/I

SL43HE3_B/I

僅供參考

型號 SL43HE3_B/I
PNEDA編號 SL43HE3_B-I
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SL43HE3_B/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SL43HE3_B/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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SL43HE3_B/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果470mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

制造商

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系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1200A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1600V

電容@ Vr,F

762pF @ 400V, 1MHz

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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1400V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 125A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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