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SMJB44H11T4G

SMJB44H11T4G

僅供參考

型號 SMJB44H11T4G
PNEDA編號 SMJB44H11T4G
描述 TRANS NPN 80V 8A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SMJB44H11T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SMJB44H11T4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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SMJB44H11T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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10A

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140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3A, 4V

功率-最大

6W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

75µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 100mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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安裝類型

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

620mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 1V

功率-最大

83W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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