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SN74LS266DR

SN74LS266DR

僅供參考

型號 SN74LS266DR
PNEDA編號 SN74LS266DR
描述 IC GATE XNOR 4CH 2-INP 14SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SN74LS266DR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SN74LS266DR
類別半導體邏輯IC邏輯-柵極和反相器

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SN74LS266DR規格

制造商
系列74LS
邏輯類型XNOR (Exclusive NOR)
電路數4
輸入數量2
功能Open Collector
電壓-供電4.75V ~ 5.25V
當前-靜態(最大值)-
電流-輸出高,低-, 8mA
邏輯電平-低0.8V
邏輯電平-高2V
最大傳播延遲@ V,最大CL30ns @ 5V, 15pF
工作溫度0°C ~ 70°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝14-SOIC
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電壓-供電

1.65V ~ 5.5V

當前-靜態(最大值)

10µA

電流-輸出高,低

32mA, 32mA

邏輯電平-低

0.7V ~ 0.8V

邏輯電平-高

1.7V ~ 2V

最大傳播延遲@ V,最大CL

3.6ns @ 5V, 50pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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邏輯類型

-

電路數

-

輸入數量

-

功能

-

電壓-供電

-

當前-靜態(最大值)

-

電流-輸出高,低

-

邏輯電平-低

-

邏輯電平-高

-

最大傳播延遲@ V,最大CL

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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制造商

系列

74LS

邏輯類型

NAND Gate

電路數

3

輸入數量

3

功能

-

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

當前-靜態(最大值)

1.2mA

電流-輸出高,低

400µA, 8mA

邏輯電平-低

0.8V

邏輯電平-高

2V

最大傳播延遲@ V,最大CL

15ns @ 5V, 15pF

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

14-SOP

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系列

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邏輯類型

NAND Gate

電路數

1

輸入數量

2

功能

Schmitt Trigger

電壓-供電

2V ~ 5.5V

當前-靜態(最大值)

1µA

電流-輸出高,低

8mA, 8mA

邏輯電平-低

0.65V ~ 1.45V

邏輯電平-高

2.25V ~ 3.7V

最大傳播延遲@ V,最大CL

9.7ns @ 5V, 50pF

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

74HCT

邏輯類型

AND Gate

電路數

4

輸入數量

2

功能

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(最大值)

1µA

電流-輸出高,低

4mA, 4mA

邏輯電平-低

0.8V

邏輯電平-高

2V

最大傳播延遲@ V,最大CL

18ns @ 5.5V, 50pF

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

14-SOIC

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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