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SP8J2TB

SP8J2TB

僅供參考

型號 SP8J2TB
PNEDA編號 SP8J2TB
描述 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8J2TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8J2TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8J2TB, SP8J2TB數據表 (總頁數: 5, 大小: 66.09 KB)
PDFSP8J2TB數據表 封面
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SP8J2TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds850pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

260mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 7.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.01V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

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