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SP8J3FU6TB

SP8J3FU6TB

僅供參考

型號 SP8J3FU6TB
PNEDA編號 SP8J3FU6TB
描述 MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8J3FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8J3FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SP8J3FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds490pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

701pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 15V

功率-最大

2.9W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

256pF @ 15V

功率-最大

485mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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