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SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB

僅供參考

型號 SP8K1FU6TB
PNEDA編號 SP8K1FU6TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K1FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K1FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8K1FU6TB, SP8K1FU6TB數據表 (總頁數: 4, 大小: 59.64 KB)
PDFSP8K1FU6TB數據表 封面
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SP8K1FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1000A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 800A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2355nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.59nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

功率-最大

3W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

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