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SP8K22FU6TB

SP8K22FU6TB

僅供參考

型號 SP8K22FU6TB
PNEDA編號 SP8K22FU6TB
描述 MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K22FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K22FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8K22FU6TB, SP8K22FU6TB數據表 (總頁數: 5, 大小: 138.89 KB)
PDFSP8K22FU6TB數據表 封面
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SP8K22FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)45V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.6nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.6nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

914pF @ 6V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1066.4pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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