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SP8K52FRATB

SP8K52FRATB

僅供參考

型號 SP8K52FRATB
PNEDA編號 SP8K52FRATB
描述 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K52FRATB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K52FRATB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SP8K52FRATB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds610pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43.2pF @ 15V

功率-最大

285mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 15V

功率-最大

2.9W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

542pF @ 15V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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