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SP8K5FU6TB

SP8K5FU6TB

僅供參考

型號 SP8K5FU6TB
PNEDA編號 SP8K5FU6TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K5FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K5FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8K5FU6TB, SP8K5FU6TB數據表 (總頁數: 4, 大小: 59.82 KB)
PDFSP8K5FU6TB數據表 封面
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SP8K5FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs83mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

869pF @ 30V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1573pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

450mA (Ta), 310mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V

功率-最大

350mW (Ta)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

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