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SP8M10FU6TB

SP8M10FU6TB

僅供參考

型號 SP8M10FU6TB
PNEDA編號 SP8M10FU6TB
描述 MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M10FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M10FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8M10FU6TB, SP8M10FU6TB數據表 (總頁數: 6, 大小: 77.55 KB)
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SP8M10FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A, 4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A, 1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

445pF @ 15V

功率-最大

2.7W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

713pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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-

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