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SP8M51FRATB

SP8M51FRATB

僅供參考

型號 SP8M51FRATB
PNEDA編號 SP8M51FRATB
描述 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M51FRATB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M51FRATB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SP8M51FRATB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

633pF @ 20V

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

810mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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