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SP8M70TB1

SP8M70TB1

僅供參考

型號 SP8M70TB1
PNEDA編號 SP8M70TB1
描述 MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M70TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M70TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SP8M70TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A, 2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF @ 25V
功率-最大650mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

542pF @ 10V

功率-最大

1.3W (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

796pF @ 25V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1295pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V, 1700pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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