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SPA04N80C3XKSA1

SPA04N80C3XKSA1

僅供參考

型號 SPA04N80C3XKSA1
PNEDA編號 SPA04N80C3XKSA1
描述 MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPA04N80C3XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPA04N80C3XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPA04N80C3XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 240µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 10V

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

660mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

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±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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