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SPB16N50C3ATMA1

SPB16N50C3ATMA1

僅供參考

型號 SPB16N50C3ATMA1
PNEDA編號 SPB16N50C3ATMA1
描述 MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPB16N50C3ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPB16N50C3ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPB16N50C3ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)560V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 675µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3120pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

138W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

131nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5286pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

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