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SPB47N10

SPB47N10

僅供參考

型號 SPB47N10
PNEDA編號 SPB47N10
描述 MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPB47N10資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPB47N10
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SPB47N10, SPB47N10數據表 (總頁數: 8, 大小: 106.78 KB)
PDFSPP47N10數據表 封面
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SPB47N10規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)47A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs33mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs105nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)175W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

925pF @ 30V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5305pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

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