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SPD30N08S2L-21

SPD30N08S2L-21

僅供參考

型號 SPD30N08S2L-21
PNEDA編號 SPD30N08S2L-21
描述 MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPD30N08S2L-21資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPD30N08S2L-21
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SPD30N08S2L-21規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 80µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2130pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝P-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

173nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

255nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

540W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42.8A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

102nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5130pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 5A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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