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SPI80N04S2-04

SPI80N04S2-04

僅供參考

型號 SPI80N04S2-04
PNEDA編號 SPI80N04S2-04
描述 MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPI80N04S2-04資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPI80N04S2-04
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SPI80N04S2-04規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs170nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6980pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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43A (Ta), 240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

121nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

450V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

643pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

210mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.821nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22pF @ 25V

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功耗(最大值)

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