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SPU08P06P

SPU08P06P

僅供參考

型號 SPU08P06P
PNEDA編號 SPU08P06P
描述 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPU08P06P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPU08P06P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPU08P06P規格

制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.83A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1817pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

158nC @ 10V

Vgs(最大)

+10V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7770pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

169W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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