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SPW55N80C3FKSA1

SPW55N80C3FKSA1

僅供參考

型號 SPW55N80C3FKSA1
PNEDA編號 SPW55N80C3FKSA1
描述 MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPW55N80C3FKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPW55N80C3FKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPW55N80C3FKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ C3
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)54.9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 3.3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs288nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7520pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO247-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

81pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3710pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26.5A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2848pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.4W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

235nC @ 10V

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FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

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安裝類型

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