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SQ1431EH-T1_GE3

SQ1431EH-T1_GE3

僅供參考

型號 SQ1431EH-T1_GE3
PNEDA編號 SQ1431EH-T1_GE3
描述 MOSFET P-CH 30V 3A SC70
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 21,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQ1431EH-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQ1431EH-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SQ1431EH-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds205pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

545pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 11A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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7.3A (Ta), 44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1871pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 46W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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