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SQ1464EEH-T1_GE3

SQ1464EEH-T1_GE3

僅供參考

型號 SQ1464EEH-T1_GE3
PNEDA編號 SQ1464EEH-T1_GE3
描述 MOSFET N-CHAN 60V SC-70
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 23,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQ1464EEH-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQ1464EEH-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQ1464EEH-T1_GE3, SQ1464EEH-T1_GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 216.6 KB)
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SQ1464EEH-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)440mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)430mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs(最大)

30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95.6nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7665pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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