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SQ1902AEL-T1_GE3

SQ1902AEL-T1_GE3

僅供參考

型號 SQ1902AEL-T1_GE3
PNEDA編號 SQ1902AEL-T1_GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,554
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQ1902AEL-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQ1902AEL-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SQ1902AEL-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)780mA (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs415mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds75pF @ 10V
功率-最大430mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

98pF @ 14V

功率-最大

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

500mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 20V

功率-最大

75W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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