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SQ1912AEEH-T1_GE3

SQ1912AEEH-T1_GE3

僅供參考

型號 SQ1912AEEH-T1_GE3
PNEDA編號 SQ1912AEEH-T1_GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 24,078
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQ1912AEEH-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQ1912AEEH-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQ1912AEEH-T1_GE3, SQ1912AEEH-T1_GE3數據表 (總頁數: 12, 大小: 279.59 KB)
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SQ1912AEEH-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)800mA (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.25nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds27pF @ 10V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

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40nC @ 4.5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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