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SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3

僅供參考

型號 SQ4284EY-T1_GE3
PNEDA編號 SQ4284EY-T1_GE3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQ4284EY-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQ4284EY-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQ4284EY-T1_GE3, SQ4284EY-T1_GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 185.81 KB)
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SQ4284EY-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2200pF @ 25V
功率-最大3.9W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

780mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 30V

功率-最大

1.4W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

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