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SQA470EJ-T1_GE3

SQA470EJ-T1_GE3

僅供參考

型號 SQA470EJ-T1_GE3
PNEDA編號 SQA470EJ-T1_GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 2.25A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQA470EJ-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQA470EJ-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SQA470EJ-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds440pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)13.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Single
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32Ohm @ 125mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1092pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 56W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1760pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 80V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 6.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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