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SQJ208EP-T1_GE3

SQJ208EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJ208EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJ208EP-T1_GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ208EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ208EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SQJ208EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC, 75nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1700pF, 3900pF @ 25V
功率-最大27W (Tc), 48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

340mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A, 32A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1715pF @ 15V

功率-最大

1W, 1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 25V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

111mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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