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SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJ974EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJ974EP-T1_GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 58,386
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJ974EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJ974EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJ974EP-T1_GE3, SQJ974EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 221.4 KB)
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SQJ974EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1050pF @ 25V
功率-最大48W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A, 7.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA, 3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 5V, 8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 10V, 550pF @ 10V

功率-最大

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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