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SQJA84EP-T1_GE3

SQJA84EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJA84EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJA84EP-T1_GE3
描述 MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 43,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJA84EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJA84EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQJA84EP-T1_GE3, SQJA84EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 227.19 KB)
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  • SQJA84EP-T1_GE3 Distributor

SQJA84EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)46A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)55W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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