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SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJB90EP-T1_GE3
PNEDA編號 SQJB90EP-T1_GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJB90EP-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJB90EP-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJB90EP-T1_GE3, SQJB90EP-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 221.49 KB)
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SQJB90EP-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs21.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
功率-最大48W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A, 3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 10V

功率-最大

1.74W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

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