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SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJQ906EL-T1_GE3
PNEDA編號 SQJQ906EL-T1_GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJQ906EL-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJQ906EL-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SQJQ906EL-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3238pF @ 20V
功率-最大187W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 8 x 8 Dual

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

440mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.45pC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

功率-最大

800mW

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 15V

功率-最大

640mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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8-SMD, Flat Lead

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A, 5.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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