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SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJQ960EL-T1_GE3
PNEDA編號 SQJQ960EL-T1_GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 29,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJQ960EL-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJQ960EL-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJQ960EL-T1_GE3, SQJQ960EL-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 185.22 KB)
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SQJQ960EL-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)63A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1950pF @ 25V
功率-最大71W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 8 x 8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

功率-最大

462W

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

360mW

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 30V

功率-最大

3.7W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

功率-最大

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