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SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

僅供參考

型號 SQM120N04-1M4L_GE3
PNEDA編號 SQM120N04-1M4L_GE3
描述 N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQM120N04-1M4L_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQM120N04-1M4L_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SQM120N04-1M4L_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2577pF @ 30V

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-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

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