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SQM50N04-4M0L_GE3

SQM50N04-4M0L_GE3

僅供參考

型號 SQM50N04-4M0L_GE3
PNEDA編號 SQM50N04-4M0L_GE3
描述 MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQM50N04-4M0L_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQM50N04-4M0L_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQM50N04-4M0L_GE3, SQM50N04-4M0L_GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 153.82 KB)
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SQM50N04-4M0L_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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29A (Ta), 168A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3480pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1480pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta), 25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 50V

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功耗(最大值)

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