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SQM90142E_GE3

SQM90142E_GE3

僅供參考

型號 SQM90142E_GE3
PNEDA編號 SQM90142E_GE3
描述 MOSFET N-CH 200V 95A TO263
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 21,504
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQM90142E_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQM90142E_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SQM90142E_GE3, SQM90142E_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 172.66 KB)
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SQM90142E_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)95A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs85nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2850pF @ 6V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

370mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2297pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 190µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

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88.2W (Tc)

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