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SS10P5HM3_A/I

SS10P5HM3_A/I

僅供參考

型號 SS10P5HM3_A/I
PNEDA編號 SS10P5HM3_A-I
描述 DIODE SCHOTTKY 50V 7A TO277A
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS10P5HM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS10P5HM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS10P5HM3_A/I, SS10P5HM3_A/I數據表 (總頁數: 5, 大小: 94.62 KB)
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SS10P5HM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)7A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果670mV @ 7A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 50V
電容@ Vr,F560pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7.8ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

22pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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