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SS110L M2G

SS110L M2G

僅供參考

型號 SS110L M2G
PNEDA編號 SS110L-M2G
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS110L M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS110L M2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SS110L M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 600V

電容@ Vr,F

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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