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SS1F4HM3/I

SS1F4HM3/I

僅供參考

型號 SS1F4HM3/I
PNEDA編號 SS1F4HM3-I
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1F4HM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1F4HM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS1F4HM3/I, SS1F4HM3/I數據表 (總頁數: 6, 大小: 125.6 KB)
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SS1F4HM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果520mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 40V
電容@ Vr,F85pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

1A

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

16ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

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