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SS1FH6HM3/H

SS1FH6HM3/H

僅供參考

型號 SS1FH6HM3/H
PNEDA編號 SS1FH6HM3-H
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1FH6HM3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1FH6HM3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS1FH6HM3/H, SS1FH6HM3/H數據表 (總頁數: 6, 大小: 128 KB)
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SS1FH6HM3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 60V
電容@ Vr,F90pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 65V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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