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SS1H9-E3/61T

SS1H9-E3/61T

僅供參考

型號 SS1H9-E3/61T
PNEDA編號 SS1H9-E3-61T
描述 DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 247,188
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1H9-E3/61T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1H9-E3/61T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS1H9-E3/61T, SS1H9-E3/61T數據表 (總頁數: 4, 大小: 77.6 KB)
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SS1H9-E3/61T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)90V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果770mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 90V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 180V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

95ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.7ns

當前-反向泄漏@ Vr

150nA @ 100V

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