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SS1H9-M3/5AT

SS1H9-M3/5AT

僅供參考

型號 SS1H9-M3/5AT
PNEDA編號 SS1H9-M3-5AT
描述 DIODE SCHOTTKY 1A 90V DO-214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS1H9-M3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS1H9-M3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SS1H9-M3/5AT, SS1H9-M3/5AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 77.6 KB)
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SS1H9-M3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)90V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果860mV @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 90V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

70mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

100ps

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

160µA @ 20V

電容@ Vr,F

46pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

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600V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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